Layout诡计中的几个辗转步伐是布局、走线、铺铜、散热性爱游戏在线观看，英诺赛科高压单管GaN的Layout诡计也不例外。
反激拓扑是高压单管GaN的典型利用，快充所在常用。该拓扑在地线的惩处上皆需出奇夺目，如下图所示，Layout时援手绕组地、IC信号地功率地在bulk电容处汇合，幸免IC地受搅扰导致运行震荡。
在GaN利用时，Layout上还需夺目以下方面：
1) 由于电流检测电阻的存在，此种所在GaN的开尔文脚与源极获胜聚拢，不然电流采样电阻失去作用。
2) Source端与bulk电容地的走线尽可能短、粗，减小寄生电感LS。
3) 运行电路和功率电路分开叮嘱，幸免搅扰
精品香蕉在线观看视频4) 运行IC及运行电路尽量围聚GaN一些，减小运行回路的走线和面积
5) 高压所在，GaN的漏源极交叠铜皮的寄生电容尽量小，以优化开关loss。
底下为DFN封装的高压GaN在65W快充利用中的layout案例：
QR反激拓扑，GaN在高网下无法零电压灵通，GaN的漏极和源极的铺铜如若酿成寄生电容，会畸形增大灵通loss，该案例的Layout中幸免了该问题，由左图可见。同期，GaN的功率回路和运行回路在布局上较好的分开，幸免了功率电路对运行电路的搅扰。
另由图可见性爱游戏在线观看，通过中间层的大铺铜将援手电源的地和功率的地线连结，地线的惩处干净明晰.
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